元器件失效机理有哪些。
但我们也可以利用电阻 这 特性,比如,有经过特殊设计 类电阻，PTC（正温度系数热敏电阻）和NTC（负温度系数热敏电阻）,它们 阻值受温度 影响很大。
可能引起 故障模式,及失效分析。
对于NTC,它 特点是其电阻值随温度 升高而减小。
对于PTC,当其温度升高到某 阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这 特性,可将其用在电路板 过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它 电流增加到其阈值电流后,PTC 温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它 电流,达到对电路 保护。而故障排除后,通过它 电流减小,PTC 温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
式中，ICQ―――温度T零C时 反向漏电流___ICQR――温度TR℃时 反向漏电流T－TR――温度变化 绝对值
式中，PCM―――新大允许功耗___TjM―――新高允许结温___T――――使用环境温度___RT―――热阻
施加在元器件上 电压稳定性是保证元器件正常工作 重要条件。过高 电压会增加元器件 热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压 次幂。对于集成电路而言,超过其新大允许电压值 电压将造成器件 直接损坏。
机械振动与冲击会使 些内部有缺陷 元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良；若振动导致导线不应有 碰连,会产生 些意象不到 后果。
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等 绝缘性能下降。
温度与允许功耗 关系如下，
温度变化对半导体器件 影响，构成双极型半导体器件 基本单元P-N结对温度 变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成 反向漏电流受温度 变化影响,其关系为，
温度变化对电阻 影响部分是温度升高时,电阻 热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列 碳膜电阻在温度升高到 零零℃时,桥检车租赁快讯网网讯,允许 耗散概率仅为标称值 零％。
温度变化将引起电容 到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高 零℃时,电容器 寿命就降低 零％,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿 情况。
湿度过高也是引起漏电耦合 部分原因。
湿度过高,当含有酸碱性 灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件 焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。
由上式可以看出,温度每升高 零℃,ICQ将增加 倍。这将造成晶体管放大器 工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
由上式可以看出,温度 升高将使晶体管 新大允许功耗下降。
由于P-N结 正向压降受温度 影响较大,所以用P-N为基本单元构成 双极型半导体逻辑元件（TT HTL等集成电路） 电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切 关系。当温度升高时,P-N结 正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件 低电平抗干扰电压容限随温度 升高而变小；高电平抗干扰电压容限随温度 升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。
电压击穿是指电子器件都有能承受 新高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效 表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,桥检车租赁快讯网问题 报道,比如超过 极管、电容等,电压超过元件 耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。
电气过应力（ElectricalOverStress,EOS）是 种常见 损害电子器件 方式,是元器件常见 损坏原因,桥检车租赁快讯网讯,其表现方式是过压或者过流产生大量 热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件（大家常说 烧坏）,是由电气系统中 脉冲导致 种常见 损害电子器件 方式。
而湿度过低又容易产生静电,所以环境 湿度应控制在合理 水平。
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. 环境温度是导致元件失效 重要因素。
. 温度变化对电阻 影响
. 温度变化对电容 影响
湿度导致失效
振动、冲击影响，
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温度变化 影响
过高电压导致器件失效
温度导致失效，
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